| Авторы |
Абдуллин Фархад Анвярович, аспирант, Пензенский государственный университет, E-mail: farhad_58@mail.ru
Пауткин Валерий Евгеньевич, кандидат технических наук, доцент, кафедра нано- и микроэлектроники, Пензенский государственный университет, E-mail: pve1976@ya.ru
Печерская Екатерина Анатольевна, доктор технических наук, профессор, кафедра нано- и микроэлектроники, Пензенский государственный университет, E-mail: pea1@list.ru
Печерский Анатолий Вадимович, доктор технических наук, профессор, кафедра нано- и микроэлектроники, Пензенский государственный университет, E-mail: ura258@yandex.ru
|
| Аннотация |
Актуальность и цели. Кремний является одним из основных материалов при изготовлении современных компонентов и устройств функциональной электроники. Качество изготовления кремниевых пластин определяет параметры
качества изделий. Цель исследования – анализ поверхностей кремниевых пластин, подвергнутых селективному химическому травлению для определения дефектов, приводящих к растравливанию рабочей поверхности и нарушению геометрии формируемых структур при операциях анизотропного травления.
Материалы и методы. В статье на основе использования методов селективного травления приведены результаты оценки параметров качества кремниевых пластин, используемых при изготовлении микромеханических датчиков.
Результаты. Изложены методики выявления свирлевых дефектов и дислокаций. В основу методики определения свирлевых дефектов положено различие скорости травления областей кремниевой пластины, содержащей микродефекты по сравнению с кристаллографически совершенными областями. Методика выявления дислокаций основана на том, что на месте пересечения дислокаций и поверхности пластин скорость травления кремния выше, вследствие чего дислокации выявляются в виде ямки травления. Представлены фотографии поверхности пластин с выявленными типами дефектов.
Выводы. Применение методов селективного травления кремния позволило экспериментально выявить два рода де-
фектов кремниевых пластин: свирлевые дефекты (микродефекты) и дислокации, которые имеют разные причины возникновения, приведенные в статье. Представленные методики могут быть практически использованы при входном контроле качества кремниевых пластин.
|
|
Ключевые слова
|
кремниевые пластины, свирлевые дефекты, дислокации, селективное травление, микромеханические датчики
|
